SOICMOS器件相关论文
介绍了采用全剂量SI MOX SOI材料制备的0·8μmSOI CMOS器件的抗总剂量辐射特性,该特性用器件的阈值电压、漏电流和专用集成电路的......
SOI技术是集成电路进入亚微米和深亚微米级后能突破体硅材料和硅集成电路限制的新型集成电路技术。随着超大规模集成电路的快速发......
对全耗尽SOI CMOS技术中的Ge预非晶化硅化物工艺进行了研究。Ge的注入，使Si非晶化，减小了硅化物的形成能量。Ti硅化物在非晶层上形成......
在对全耗尽SOIMOS器件进行了大量研究的基础上,采用金属栅工艺,并采用了LDD结构以减小热载流子效应,防止漏的击穿,还采用了突起的......
